Please use this identifier to cite or link to this item: http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/69261
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorอาจารย์ ดร.วรพงษ์ เทียมสอน-
dc.contributor.authorศศิกร อินทรศรีen_US
dc.date.accessioned2020-08-03T07:38:45Z-
dc.date.available2020-08-03T07:38:45Z-
dc.date.issued2015-03-
dc.identifier.urihttp://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/69261-
dc.description.abstractIn this work, a window glass form Thaitechnoglass Co., Ltd. was developed to high emission brightness and long degradation of phosphorescent behaviour as called ZWG in dark area by silk screen coating using CuCl2-activated ZnS phosphor (ZnS:Cu). The effects of particle size of ZnS:Cu phosphor, curing temperature and soaking time, degree of reduction atmosphere controlled with CO concentration using charcoal, and film thickness on color, brightness and degradation of phosphorescence were studied. According to ZnS:Cu phosphor slurry preparation and silk screening, the slurry was prepared in the ratio of ethanol : frit : Zn:Cu powder : supperplasticizer at 1 ml : 0.125 g : 2 g : 0.2 ml, respectively. The viscosity of slurry was controlled at 219 cP and the size screening was also controlled at 77 µm. The ZWG was cured at 800oC in a reduction atmosphere. It was found that the ZnS:Cu is the wurtzite phase representing the hexagonal structure and yellowish green emission color at 400-550 nm. The brightness and degradation time increased with decreasing particle size of ZnS:Cu from 94 to 37 nm and with increasing film thickness from 100 to 800 nm due to the sintering and homogeneity of structures. From the results of curing condition, the brightness and degradation time increased with increasing curing temperature from 700 to 800oC and with decreasing soaking time from 60 to 15 min due to the thermal stability and the reduction of ZnO concentration. As the results of degree of reduction atmosphere, the brightness and degradation time increased with increasing CO concentration from 0.029-58.28 g-mol/m3 due to stability of hexagonal structure and the reduction of ZnO concentration. It was concluded that the ZnS:Cu phosphor slurry was prepared using ZnS:Cu powder at 37 nm, film thickness at 800 nm, curing temperature at 800oC for 15 min in the reduction atmosphere at 58.28 g-mol/m3 of CO. These conditions directly affected on the yellowish green emission brightness and degradation time reaching to 89.57 and 24 min 33 sec, respectively.en_US
dc.language.isothen_US
dc.publisherเชียงใหม่ : บัณฑิตวิทยาลัย มหาวิทยาลัยเชียงใหม่en_US
dc.titleการเคลือบกระจกหน้าต่างด้วยสารเรืองแสงซิงก์ซัลไฟด์ที่ถูกกระตุ้นด้วยคอปเปอร์คลอไรด์โดยการพิมพ์ซิลค์สกรีนen_US
dc.title.alternativeWindow Glass Coating with CuCl2-activated ZnS Phosphor by Silk Screen Printingen_US
dc.typeThesis
thesis.degreemasteren_US
thesis.description.thaiAbstractงานวิจัยนี้ได้พัฒนากระจกหน้าต่างจากบริษัท ไทยเทคโนกลาส จำกัด ให้มีสมบัติการเรืองแสงในที่มืดด้วยความสว่างสูงและระยะเวลานานจากการเคลือบด้วยสารเรืองแสงซิงก์ซัลไฟด์ที่ถูกกระตุ้นด้วยคอปเปอร์คลอไรด์โดยการพิมพ์ซิลค์สกรีน ทำการศึกษาผลของขนาดอนุภาค อุณหภูมิเผาและระยะเวลาการเผาแช่ไฟ ระดับของบรรยากาศรีดักชันที่ควบคุมด้วยความเข้มข้นของก๊าซคาร์บอนมอนอกไซด์จากผงถ่าน และความหนาของชั้นสารเรืองแสงที่มีผลต่อสี ความสว่าง และเวลาการเรืองแสง ในการศึกษาการเตรียมน้ำเคลือบเรืองแสงและเคลือบบนแผ่นแก้วโซดา-ไลม์ด้วยการพิมพ์ซิลค์สกรีน พบว่า วัตถุดิบในการเตรียมน้ำเคลือบประกอบด้วยตัวทำละลายเอทิลแอลกอฮอล์ สารเคลือบผิวอนินทรีย์ (ฟริต) ซิงก์ซัลไฟด์ที่ถูกกระตุ้นด้วยคอปเปอร์คลอไรด์ และสารช่วยไหลตัวในอัตราส่วน 1.0 มิลลิลิตร : 0.125 กรัม : 2 กรัม : 0.20 มิลลิลิตร ตามลำดับ โดยควบคุมความหนืดของน้ำเคลือบคงที่ที่ 219 เซนติพัวร์ และความละเอียดของซิลค์สกรีนที่ 77 ไมครอน ทำการเผากระจกเรืองแสงที่อุณหภูมิ 800 องศาเซลเซียสในบรรยากาศรีดักชัน ผลการทดลองพบว่า ได้วัฏภาคสารเรืองแสงซิงก์ซัลไฟด์ที่ถูกกระตุ้นด้วยคอปเปอร์คลอไรด์แบบเวิตร์ไซต์ที่มีโครงสร้างผลึกเป็นเฮกซะโกนอล มีการเรืองแสงสีเขียวอมเหลืองที่ความยาวคลื่นในช่วง 400–550 นาโนเมตร โดยความสว่างและระยะเวลาของการเรืองแสงเพิ่มมากขึ้นเมื่อลดขนาดอนุภาคของสารเรืองแสงจาก 94 เป็น 37 นาโนเมตร และเพิ่มความหนาของชั้นเคลือบจาก 100 เป็น 800 นาโนเมตร เนื่องจากการผนึกตัวและความสม่ำเสมอของโครงสร้างที่ดี เมื่อทำการติดตามผลของสภาวะการเผาพบว่า ความสว่างและระยะเวลาของการเรืองแสงเพิ่มมากขึ้นเมื่อเพิ่มอุณหภูมิการเผาจาก 700 เป็น 800 องศาเซลเซียสและ ลดระยะเวลาการเผาแช่ไฟจาก 60 เป็น 15 นาที เนื่องจากการความเสถียรทางความร้อนและการลดลงของซิงค์ออกไซด์ เมื่อติดตามระดับของบรรยากาศรีดักชันพบว่า ความสว่างและระยะเวลาของการเรืองแสงเพิ่มมากขึ้นเมื่อเพิ่มปริมาณของก๊าซคาร์บอนมอนอกไซด์จาก 0.029 เป็น 58.28 กรัม-โมลต่อลูกบาศก์เมตร เนื่องจากความคงสภาพของโครงสร้างเฮกซะโกนอลและการลดลงของซิงก์ออกไซด์ ดังนั้น ในงานวิจัยนี้จึงกำหนดสารเคลือบเรืองแสงโดยใช้ซิงก์ซัลไฟด์ที่ถูกกระตุ้นด้วย คอปเปอร์คลอไรด์ขนาด 37 ไมครอน เคลือบที่ความหนา 800 นาโนเมตร เผาที่อุณหภูมิ 800 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 15 นาทีในบรรยากาศรีดักชันที่ความเข้มข้นของก๊าซคาร์บอนมอนอกไซด์ 58.28 กรัม-โมลต่อลูกบาศก์เมตร จะได้การเรืองแสงสีเขียวอมเหลืองที่ความสว่าง และระยะเวลาการ เรืองแสงเป็น 89.57 และ 24 นาที 33 วินาทีตามลำดับen_US
Appears in Collections:SCIENCE: Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Full.pdf11.19 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy


Items in CMUIR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.